Transistor bipolaire 2SB1090

Caractéristiques électriques du transistor 2SB1090

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
  • Tension collecteur-base maximum: -100 V
  • Tension émetteur-base maximum: -7 V
  • Courant collecteur continu maximum: -4 A
  • Dissipation de puissance maximum: 40 W
  • Gain de courant (hfe): 40 à 200
  • Fréquence de transition minimum: 20 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220

Brochage du 2SB1090

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB1090 peut avoir un gain en courant continu de 40 à 200. Le gain en courant continu du 2SB1090-K est compris entre 100 à 200, celui du 2SB1090-L entre 80 à 120, celui du 2SB1090-M entre 40 à 80.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1090 peut n'être marqué que B1090.

Complémentaire du transistor 2SB1090

Le transistor NPN complémentaire du 2SB1090 est le 2SD1568.

Version SMD du transistor 2SB1090

Le BDP954 (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SB1090.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB1090

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1090 par 2SA1010, 2SB1016, 2SB1367, 2SB595, 2SB703A, 2SB995, BD244C, BD540C, BD802, BD954, BD956, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDT96, BDT96F, KSA1010, KTB1367, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 ou MJF15031G.
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