Transistor bipolaire KSB708

Caractéristiques électriques du transistor KSB708

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
  • Tension collecteur-base maximum: -80 V
  • Tension émetteur-base maximum: -7 V
  • Courant collecteur continu maximum: -7 A
  • Dissipation de puissance maximum: 40 W
  • Gain de courant (hfe): 40 à 200
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220
  • Electrically Similar to the Popular 2SB708 transistor

Brochage du KSB708

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KSB708 peut avoir un gain en courant continu de 40 à 200. Le gain en courant continu du KSB708-O est compris entre 60 à 120, celui du KSB708-R entre 40 à 80, celui du KSB708-Y entre 100 à 200.

Complémentaire du transistor KSB708

Le transistor NPN complémentaire du KSB708 est le KSD569.

Substituts et équivalents pour le transistor KSB708

Vous pouvez remplacer le transistor KSB708 par 2SA1010, 2SB708, BD538, BD800, BD802, BD810, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDT94, BDT94F, BDT96, BDT96F, BDX78, KSA1010, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 ou MJF15031G.
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