Transistor bipolaire KTB1367R
Caractéristiques électriques du transistor KTB1367R
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
- Tension collecteur-base maximum: -100 V
- Tension émetteur-base maximum: -5 V
- Courant collecteur continu maximum: -5 A
- Dissipation de puissance maximum: 30 W
- Gain de courant (hfe): 40 à 80
- Fréquence de transition minimum: 5 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-220F
- Electrically Similar to the Popular 2SB1367-R transistor
Brochage du KTB1367R
Classification de hFE
Complémentaire du transistor KTB1367R
Version SMD du transistor KTB1367R
Substituts et équivalents pour le transistor KTB1367R
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