Transistor bipolaire 2N6126

Caractéristiques électriques du transistor 2N6126

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
  • Tension collecteur-base maximum: -80 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -4 A
  • Dissipation de puissance maximum: 40 W
  • Gain de courant (hfe): 25 à 80
  • Fréquence de transition minimum: 3 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220

Brochage du 2N6126

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor 2N6126

Le transistor NPN complémentaire du 2N6126 est le 2N6123.

Substituts et équivalents pour le transistor 2N6126

Vous pouvez remplacer le transistor 2N6126 par 2N6134, 2N6475, 2N6476, 2N6491, 2N6491G, BD710, BD712, BD744B, BD744C, BD910, BD912, BDT94, BDT94F, BDT96, BDT96F, D44C10, D44C11, D44C12, D45C10, D45C11, D45C12, MJE5170, MJE5171, MJE5172, MJF2955, MJF2955G ou NTE292.
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