Transistor bipolaire 2SB1016-R

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
• Tension collecteur-base maximum: -100 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -5 A
• Dissipation de puissance maximum: 30 W
• Gain de courant (h_fe): 40 à 80
• Fréquence de transition minimum: 5 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-220F

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SB1016-R peut avoir un gain en courant continu de 40 à 80. Le gain en courant continu du 2SB1016 est compris entre 40 à 240, celui du 2SB1016-O entre 70 à 140, celui du 2SB1016-Y entre 120 à 240.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1016-R peut n'être marqué que B1016-R.Le transistor NPN complémentaire du 2SB1016-R est le 2SD1407-R.Le BDP954 (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SB1016-R.Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1016-R par 2SA1010, 2SA1010M, 2SB1367, 2SB1367-R, 2SB595, 2SB595-R, 2SB995, 2SB995-R, BD244C, BD540C, BD712, BD744C, BD802, BD912, BD954, BD956, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDT96, BDT96F, KSA1010, KSA1010R, KTB1367, KTB1367R, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJE5170, MJE5171, MJE5172, MJF15031 ou MJF15031G.