Transistor bipolaire KTB1367

Caractéristiques électriques du transistor KTB1367

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
  • Tension collecteur-base maximum: -100 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 30 W
  • Gain de courant (hfe): 40 à 240
  • Fréquence de transition minimum: 5 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220F
  • Electrically Similar to the Popular 2SB1367 transistor

Brochage du KTB1367

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KTB1367 peut avoir un gain en courant continu de 40 à 240. Le gain en courant continu du KTB1367O est compris entre 70 à 140, celui du KTB1367R entre 40 à 80, celui du KTB1367Y entre 120 à 240.

Complémentaire du transistor KTB1367

Le transistor NPN complémentaire du KTB1367 est le KTD2059.

Version SMD du transistor KTB1367

Le BDP954 (SOT-223) est la version SMD du transistor KTB1367.

Substituts et équivalents pour le transistor KTB1367

Vous pouvez remplacer le transistor KTB1367 par 2SB1016, 2SB1367, 2SB595, 2SB995, BD244C, BD540C, BD802, BD954, BD956, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 ou MJF15031G.
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