Transistor bipolaire 2SB1016

Caractéristiques électriques du transistor 2SB1016

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
  • Tension collecteur-base maximum: -100 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 30 W
  • Gain de courant (hfe): 40 à 240
  • Fréquence de transition minimum: 5 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220F

Brochage du 2SB1016

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB1016 peut avoir un gain en courant continu de 40 à 240. Le gain en courant continu du 2SB1016-O est compris entre 70 à 140, celui du 2SB1016-R entre 40 à 80, celui du 2SB1016-Y entre 120 à 240.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1016 peut n'être marqué que B1016.

Complémentaire du transistor 2SB1016

Le transistor NPN complémentaire du 2SB1016 est le 2SD1407.

Version SMD du transistor 2SB1016

Le BDP954 (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SB1016.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB1016

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1016 par 2SB1367, 2SB595, 2SB995, BD244C, BD540C, BD802, BD954, BD956, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, KTB1367, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 ou MJF15031G.
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