Transistor bipolaire 2SB708-R

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
• Tension collecteur-base maximum: -80 V
• Tension émetteur-base maximum: -7 V
• Courant collecteur continu maximum: -7 A
• Dissipation de puissance maximum: 40 W
• Gain de courant (h_fe): 40 à 80
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-220

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SB708-R peut avoir un gain en courant continu de 40 à 80. Le gain en courant continu du 2SB708 est compris entre 40 à 200, celui du 2SB708-O entre 60 à 120, celui du 2SB708-Y entre 100 à 200.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB708-R peut n'être marqué que B708-R.Le transistor NPN complémentaire du 2SB708-R est le 2SD569-M.Vous pouvez remplacer le transistor 2SB708-R par 2N6134, 2N6491, 2N6491G, 2SA1010, 2SA1010M, BD538, BD538K, BD710, BD712, BD744B, BD744C, BD800, BD802, BD810, BD910, BD912, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDT94, BDT94F, BDT96, BDT96F, BDX78, KSA1010, KSA1010R, KSB708, KSB708-R, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031, MJF15031G, MJF2955 ou MJF2955G.