Transistor bipolaire 2N6491

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
• Tension collecteur-base maximum: -90 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -15 A
• Dissipation de puissance maximum: 75 W
• Gain de courant (h_fe): 20 à 150
• Fréquence de transition minimum: 5 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-220

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Vous pouvez remplacer le transistor 2N6491 par 2N6491G, BD744B, BD744C, BD910 ou BD912.Le transistor 2N6491G est la version sans plomb du 2N6491.