Transistor bipolaire 2SB1367

Caractéristiques électriques du transistor 2SB1367

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
  • Tension collecteur-base maximum: -100 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 30 W
  • Gain de courant (hfe): 40 à 240
  • Fréquence de transition minimum: 5 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220F

Brochage du 2SB1367

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB1367 peut avoir un gain en courant continu de 40 à 240. Le gain en courant continu du 2SB1367-O est compris entre 70 à 140, celui du 2SB1367-R entre 40 à 80, celui du 2SB1367-Y entre 120 à 240.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1367 peut n'être marqué que B1367.

Complémentaire du transistor 2SB1367

Le transistor NPN complémentaire du 2SB1367 est le 2SD2059.

Version SMD du transistor 2SB1367

Le BDP954 (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SB1367.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB1367

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1367 par 2SB1016, 2SB595, 2SB995, BD244C, BD540C, BD802, BD954, BD956, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, KTB1367, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 ou MJF15031G.
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