Transistor bipolaire KSB708-R

Caractéristiques électriques du transistor KSB708-R

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
  • Tension collecteur-base maximum: -80 V
  • Tension émetteur-base maximum: -7 V
  • Courant collecteur continu maximum: -7 A
  • Dissipation de puissance maximum: 40 W
  • Gain de courant (hfe): 40 à 80
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220
  • Electrically Similar to the Popular 2SB708-R transistor

Brochage du KSB708-R

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KSB708-R peut avoir un gain en courant continu de 40 à 80. Le gain en courant continu du KSB708 est compris entre 40 à 200, celui du KSB708-O entre 60 à 120, celui du KSB708-Y entre 100 à 200.

Complémentaire du transistor KSB708-R

Le transistor NPN complémentaire du KSB708-R est le KSD569-R.

Substituts et équivalents pour le transistor KSB708-R

Vous pouvez remplacer le transistor KSB708-R par 2N6134, 2N6491, 2N6491G, 2SA1010, 2SA1010M, 2SB708, 2SB708-R, BD538, BD538K, BD710, BD712, BD744B, BD744C, BD800, BD802, BD810, BD910, BD912, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDT94, BDT94F, BDT96, BDT96F, BDX78, KSA1010, KSA1010R, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031, MJF15031G, MJF2955 ou MJF2955G.
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