Transistor bipolaire KSB1017

Caractéristiques électriques du transistor KSB1017

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
  • Tension collecteur-base maximum: -80 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -4 A
  • Dissipation de puissance maximum: 25 W
  • Gain de courant (hfe): 40 à 240
  • Fréquence de transition minimum: 9 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220F
  • Electrically Similar to the Popular 2SB1017 transistor

Brochage du KSB1017

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KSB1017 peut avoir un gain en courant continu de 40 à 240. Le gain en courant continu du KSB1017-O est compris entre 70 à 140, celui du KSB1017-R entre 40 à 80, celui du KSB1017-Y entre 120 à 240.

Complémentaire du transistor KSB1017

Le transistor NPN complémentaire du KSB1017 est le KSD1408.

Version SMD du transistor KSB1017

Le BDP952 (SOT-223) est la version SMD du transistor KSB1017.

Substituts et équivalents pour le transistor KSB1017

Vous pouvez remplacer le transistor KSB1017 par 2SA1488A, 2SA771, 2SB1016, 2SB1017, 2SB1367, 2SB1368, 2SB595, 2SB596, 2SB633, 2SB762A, 2SB942A, 2SB995, 2SB996, BD244B, BD244C, BD538, BD540B, BD540C, BD800, BD802, BD810, BD952, BD954, BD956, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDX78, D44C10, D44C11, D44C12, D45C10, D45C11, D45C12, KSB596, KTB1367, KTB1368, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 ou MJF15031G.
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