Transistor bipolaire 2SB633-C

Caractéristiques électriques du transistor 2SB633-C

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -85 V
  • Tension collecteur-base maximum: -100 V
  • Tension émetteur-base maximum: -6 V
  • Courant collecteur continu maximum: -6 A
  • Dissipation de puissance maximum: 40 W
  • Gain de courant (hfe): 40 à 80
  • Fréquence de transition minimum: 5 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220

Brochage du 2SB633-C

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB633-C peut avoir un gain en courant continu de 40 à 80. Le gain en courant continu du 2SB633 est compris entre 40 à 320, celui du 2SB633-D entre 60 à 120, celui du 2SB633-E entre 100 à 200, celui du 2SB633-F entre 160 à 320.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB633-C peut n'être marqué que B633-C.

Complémentaire du transistor 2SB633-C

Le transistor NPN complémentaire du 2SB633-C est le 2SD613-C.

Version SMD du transistor 2SB633-C

Le BDP954 (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SB633-C.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB633-C

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB633-C par 2SA1010, 2SA1010M, BD244C, BD712, BD744C, BD802, BD912, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDT96, BDT96F, KSA1010, KSA1010R, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJE5170, MJE5171, MJE5172, MJF15031, MJF15031G, MJF2955 ou MJF2955G.
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