Transistor bipolaire 2N6475

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
• Tension collecteur-base maximum: -110 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -4 A
• Dissipation de puissance maximum: 40 W
• Gain de courant (h_fe): 15 à 150
• Fréquence de transition minimum: 5 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-220

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du 2N6475 est le 2N6473.Vous pouvez remplacer le transistor 2N6475 par 2N6476, BD712, BD912 ou NTE292.