Transistor bipolaire BDT96

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
• Tension collecteur-base maximum: -100 V
• Tension émetteur-base maximum: -7 V
• Courant collecteur continu maximum: -10 A
• Dissipation de puissance maximum: 90 W
• Gain de courant (h_fe): 20 à 200
• Fréquence de transition minimum: 4 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-220

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du BDT96 est le BDT95.Vous pouvez remplacer le transistor BDT96 par BDT96F.