Transistor bipolaire BDT84F

Caractéristiques électriques du transistor BDT84F

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
  • Tension collecteur-base maximum: -80 V
  • Tension émetteur-base maximum: -7 V
  • Courant collecteur continu maximum: -15 A
  • Dissipation de puissance maximum: 36 W
  • Gain de courant (hfe): 40
  • Fréquence de transition minimum: 20 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220F

Brochage du BDT84F

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor BDT84F

Le transistor NPN complémentaire du BDT84F est le BDT83F.

Substituts et équivalents pour le transistor BDT84F

Vous pouvez remplacer le transistor BDT84F par BD546B, BD546C, BDT84, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDW46, BDW46G, BDW47, BDW47G, BDW48, MJF6668 ou MJF6668G.
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