Transistor bipolaire 2SB762A

Caractéristiques électriques du transistor 2SB762A

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
  • Tension collecteur-base maximum: -80 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -4 A
  • Dissipation de puissance maximum: 40 W
  • Gain de courant (hfe): 40 à 250
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220

Brochage du 2SB762A

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB762A peut avoir un gain en courant continu de 40 à 250. Le gain en courant continu du 2SB762A-P est compris entre 120 à 250, celui du 2SB762A-Q entre 70 à 150, celui du 2SB762A-R entre 40 à 90.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB762A peut n'être marqué que B762A.

Complémentaire du transistor 2SB762A

Le transistor NPN complémentaire du 2SB762A est le 2SD857A.

Version SMD du transistor 2SB762A

Le BDP952 (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SB762A.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB762A

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB762A par 2SA1488A, 2SA771, 2SB633, 2SB942A, BD244B, BD244C, BD538, BD540B, BD540C, BD800, BD802, BD810, BD952, BD954, BD956, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDX78, D44C10, D44C11, D44C12, D45C10, D45C11, D45C12, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 ou MJF15031G.
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