Transistor bipolaire BD538K

Caractéristiques électriques du transistor BD538K

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
  • Tension collecteur-base maximum: -80 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -8 A
  • Dissipation de puissance maximum: 50 W
  • Gain de courant (hfe): 40 à 100
  • Fréquence de transition minimum: 3 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220

Brochage du BD538K

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor BD538K peut avoir un gain en courant continu de 40 à 100. Le gain en courant continu du BD538 est compris entre 40 à 0, celui du BD538J entre 30 à 75.

Complémentaire du transistor BD538K

Le transistor NPN complémentaire du BD538K est le BD537K.

Substituts et équivalents pour le transistor BD538K

Vous pouvez remplacer le transistor BD538K par 2N6491, 2N6491G, BD710, BD712, BD744B, BD744C, BD800, BD802, BD810, BD910, BD912, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDT94, BDT94F, BDT96, BDT96F, BDX78, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031, MJF15031G, MJF2955 ou MJF2955G.
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