Transistor bipolaire 2SB747

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
• Tension collecteur-base maximum: -80 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -5 A
• Dissipation de puissance maximum: 40 W
• Gain de courant (h_fe): 40 à 200
• Fréquence de transition minimum: 7 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-220

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SB747 peut avoir un gain en courant continu de 40 à 200. Le gain en courant continu du 2SB747-P est compris entre 100 à 200, celui du 2SB747-Q entre 60 à 120, celui du 2SB747-R entre 40 à 80.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB747 peut n'être marqué que B747.Le transistor NPN complémentaire du 2SB747 est le 2SD812.Le BDP952 (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SB747.Vous pouvez remplacer le transistor 2SB747 par 2SA1010, 2SA771, 2SB1016, 2SB1367, 2SB595, 2SB633, 2SB708, 2SB995, BD244B, BD244C, BD538, BD540B, BD540C, BD800, BD802, BD810, BD952, BD954, BD956, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDT94, BDT94F, BDT96, BDT96F, BDX78, KSA1010, KSB708, KTB1367, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 ou MJF15031G.