Transistor bipolaire BD710

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
• Tension collecteur-base maximum: -80 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -12 A
• Dissipation de puissance maximum: 75 W
• Gain de courant (h_fe): 15 à 150
• Fréquence de transition minimum: 3 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-220

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du BD710 est le BD709.Vous pouvez remplacer le transistor BD710 par BD712, BD910 ou BD912.