Transistor bipolaire MJE5170

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -120 V
• Tension collecteur-base maximum: -120 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -6 A
• Dissipation de puissance maximum: 65 W
• Gain de courant (h_fe): 15 à 100
• Fréquence de transition minimum: 1 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-220

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du MJE5170 est le MJE5180.Vous pouvez remplacer le transistor MJE5170 par MJE5171 ou MJE5172.