Transistor bipolaire 2SB747-R

Caractéristiques électriques du transistor 2SB747-R

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
  • Tension collecteur-base maximum: -80 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 40 W
  • Gain de courant (hfe): 40 à 80
  • Fréquence de transition minimum: 7 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220

Brochage du 2SB747-R

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB747-R peut avoir un gain en courant continu de 40 à 80. Le gain en courant continu du 2SB747 est compris entre 40 à 200, celui du 2SB747-P entre 100 à 200, celui du 2SB747-Q entre 60 à 120.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB747-R peut n'être marqué que B747-R.

Complémentaire du transistor 2SB747-R

Le transistor NPN complémentaire du 2SB747-R est le 2SD812-R.

Version SMD du transistor 2SB747-R

Le BDP952 (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SB747-R.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB747-R

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB747-R par 2N6134, 2N6491, 2N6491G, 2SA1010, 2SA1010M, 2SA771, 2SB1016, 2SB1016-R, 2SB1367, 2SB1367-R, 2SB595, 2SB595-R, 2SB633, 2SB633-C, 2SB708, 2SB708-R, 2SB995, 2SB995-R, BD244B, BD244C, BD538, BD538K, BD540B, BD540C, BD710, BD712, BD744B, BD744C, BD800, BD802, BD810, BD910, BD912, BD952, BD954, BD956, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDT94, BDT94F, BDT96, BDT96F, BDX78, KSA1010, KSA1010R, KSB708, KSB708-R, KTB1367, KTB1367R, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJE5170, MJE5171, MJE5172, MJF15031, MJF15031G, MJF2955 ou MJF2955G.
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