Transistor bipolaire BD810

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
• Tension collecteur-base maximum: -80 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -10 A
• Dissipation de puissance maximum: 90 W
• Gain de courant (h_fe): 30
• Fréquence de transition minimum: 2 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-220

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du BD810 est le BD809.Vous pouvez remplacer le transistor BD810 par 2N6668, 2N6668G, 2SA1077, 2SA1329, 2SA1329-O, 2SA1329-Y, 2SA1452, 2SA1452-O, 2SA1452-Y, 2SA1452A, 2SA1452A-O, 2SA1452A-Y, BD546B, BD546C, BDT62A, BDT62B, BDT62C, BDT64A, BDT64B, BDT64C, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDW46, BDW46G, BDW47, BDW47G, BDW48, BDW94B, BDW94C, BDW94CF, BDX34B, BDX34BG, BDX34C, BDX34CG, BDX34D, D45H11, D45H11FP, MJF6668, MJF6668G, TIP146T, TIP147T, TTA1452B ou TTB1452B.