Transistor bipolaire 2N6491G

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
• Tension collecteur-base maximum: -90 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -15 A
• Dissipation de puissance maximum: 75 W
• Gain de courant (h_fe): 20 à 150
• Fréquence de transition minimum: 5 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-220
• Le 2N6491G est la version sans plomb du transistor 2N6491

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Vous pouvez remplacer le transistor 2N6491G par 2N6491, BD744B, BD744C, BD910 ou BD912.