Bipolartransistor 2SB762A-P

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
• Verlustleistung, max: 40 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 120 bis 250
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB762A-P kann eine Gleichstromverstärkung von 120 bis 250 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB762A liegt im Bereich von 40 bis 250, die des 2SB762A-Q im Bereich von 70 bis 150, die des 2SB762A-R im Bereich von 40 bis 90.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB762A-P-Transistor könnte nur mit "B762A-P" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB762A-P ist der 2SD857A-P.Der BDP952 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SB762A-P-Transistors.Sie können den Transistor 2SB762A-P durch einen 2SA1488A, 2SA1634, 2SA1635, 2SA771, 2SB633, 2SB870, 2SB942A, 2SB942A-P, 2SB944, 2SB945, 2SB946, BD244B, BD244C, BD538, BD540B, BD540C, BD544B, BD544C, BD546B, BD546C, BD800, BD802, BD810, BD952, BD954, BD956, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDX78, D44C10, D44C11, D44C12, D45C10, D45C11, D45C12, D45H11, D45H11FP, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 oder MJF15031G ersetzen.