Bipolartransistor 2N5195G

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
• Verlustleistung, max: 40 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 20 bis 80
• Übergangsfrequenz, min: 2 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126
• Der 2N5195G ist die bleifreie Version des 2N5195-Transistors

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2N5195G ist der 2N5192G.Sie können den Transistor 2N5195G durch einen 2N5195 oder NTE185 ersetzen.