Bipolartransistor BD140-6

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD140-6

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
  • Verlustleistung, max: 12.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 100
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des BD140-6

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BD140-6 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 100 haben. Die Gleichstromverstärkung des BD140 liegt im Bereich von 40 bis 250, die des BD140-10 im Bereich von 63 bis 160, die des BD140-16 im Bereich von 100 bis 250.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BD140-6 ist der BD139-6.

SMD-Version des Transistors BD140-6

Der BCP53 (SOT-223) ist die SMD-Version des BD140-6-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD140-6

Sie können den Transistor BD140-6 durch einen 2N4920, 2N4920G, BD140G, BD170, BD180, BD180G, BD231, BD238, BD238G, BD380, BD380-6, BD442, BD442G, BD790, BD792, MJE250, MJE251, MJE252, MJE253, MJE253G, MJE254 oder MJE712 ersetzen.
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