Bipolartransistor BSR30
Elektrische Eigenschaften des Transistors BSR30
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -70 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
- Verlustleistung, max: 1.35 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 120
- Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: SOT-89
Pinbelegung des BSR30
Kennzeichnung
Komplementärer NPN-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor BSR30
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