Bipolartransistor BSR30

Elektrische Eigenschaften des Transistors BSR30

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -70 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
  • Verlustleistung, max: 1.35 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 120
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-89

Pinbelegung des BSR30

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Kennzeichnung

Der BSR30-Transistor ist als "BR1" gekennzeichnet.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BSR30 ist der BSR40.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BSR30

Sie können den Transistor BSR30 durch einen BSR32 ersetzen.
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