Caractéristiques électriques du transistor KSB1366-Y
Type de transistor: PNP
Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
Tension collecteur-base maximum: -60 V
Tension émetteur-base maximum: -7 V
Courant collecteur continu maximum: -3 A
Dissipation de puissance maximum: 25 W
Gain de courant (hfe): 100 à 200
Fréquence de transition minimum: 9 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-220F
Brochage du KSB1366-Y
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor KSB1366-Y peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du KSB1366 est compris entre 100 à 320, celui du KSB1366-G entre 150 à 320.
Complémentaire du transistor KSB1366-Y
Le transistor NPN complémentaire du KSB1366-Y est le KSD2012-Y.
Version SMD du transistor KSB1366-Y
Le BDP950 (SOT-223) est la version SMD du transistor KSB1366-Y.
Substituts et équivalents pour le transistor KSB1366-Y