Transistor bipolaire 2SB870

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
• Tension collecteur-base maximum: -130 V
• Tension émetteur-base maximum: -7 V
• Courant collecteur continu maximum: -7 A
• Dissipation de puissance maximum: 40 W
• Gain de courant (h_fe): 60 à 260
• Fréquence de transition minimum: 30 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-220

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SB870 peut avoir un gain en courant continu de 60 à 260. Le gain en courant continu du 2SB870-P est compris entre 130 à 260, celui du 2SB870-Q entre 90 à 180, celui du 2SB870-R entre 60 à 120.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB870 peut n'être marqué que B870.Le transistor NPN complémentaire du 2SB870 est le 2SD866.Vous pouvez remplacer le transistor 2SB870 par 2SB946, BD538, BD544B, BD544C, BD546B, BD546C, BD800, BD802, BD810, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDX78, D45H11, D45H11FP, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 ou MJF15031G.