Transistor bipolaire 2SB708-Y

Caractéristiques électriques du transistor 2SB708-Y

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
  • Tension collecteur-base maximum: -80 V
  • Tension émetteur-base maximum: -7 V
  • Courant collecteur continu maximum: -7 A
  • Dissipation de puissance maximum: 40 W
  • Gain de courant (hfe): 100 à 200
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220

Brochage du 2SB708-Y

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB708-Y peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du 2SB708 est compris entre 40 à 200, celui du 2SB708-O entre 60 à 120, celui du 2SB708-R entre 40 à 80.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB708-Y peut n'être marqué que B708-Y.

Complémentaire du transistor 2SB708-Y

Le transistor NPN complémentaire du 2SB708-Y est le 2SD569-K.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB708-Y

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB708-Y par 2SA1010, 2SA1010K, 2SA1077, 2SA1329, 2SA1452, 2SA1452A, 2SB1018, 2SB1018A, 2SB870, 2SB946, 2SB992, BD538, BD544B, BD544C, BD546B, BD546C, BD800, BD802, BD810, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDT94, BDT94F, BDT96, BDT96F, BDX78, D45H11, D45H11FP, KSA1010, KSA1010Y, KSB708, KSB708-Y, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 ou MJF15031G.
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