Caractéristiques électriques du transistor KSD2012-Y
Type de transistor: NPN
Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
Tension collecteur-base maximum: 60 V
Tension émetteur-base maximum: 7 V
Courant collecteur continu maximum: 3 A
Dissipation de puissance maximum: 25 W
Gain de courant (hfe): 100 à 200
Fréquence de transition minimum: 3 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-220F
Brochage du KSD2012-Y
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor KSD2012-Y peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du KSD2012 est compris entre 100 à 320, celui du KSD2012-G entre 150 à 320.
Complémentaire du transistor KSD2012-Y
Le transistor PNP complémentaire du KSD2012-Y est le KSB1366-Y.
Version SMD du transistor KSD2012-Y
Le BDP949 (SOT-223) est la version SMD du transistor KSD2012-Y.
Substituts et équivalents pour le transistor KSD2012-Y