Transistor bipolaire 2SB633-E

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -85 V
• Tension collecteur-base maximum: -100 V
• Tension émetteur-base maximum: -6 V
• Courant collecteur continu maximum: -6 A
• Dissipation de puissance maximum: 40 W
• Gain de courant (h_fe): 100 à 200
• Fréquence de transition minimum: 5 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-220

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SB633-E peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du 2SB633 est compris entre 40 à 320, celui du 2SB633-C entre 40 à 80, celui du 2SB633-D entre 60 à 120, celui du 2SB633-F entre 160 à 320.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB633-E peut n'être marqué que B633-E.Le transistor NPN complémentaire du 2SB633-E est le 2SD613-E.Le BDP954 (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SB633-E.Vous pouvez remplacer le transistor 2SB633-E par 2SA1010, 2SA1010K, 2SA1077, BD244C, BD544C, BD546C, BD802, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDT96, BDT96F, KSA1010, KSA1010Y, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 ou MJF15031G.