Caractéristiques électriques du transistor 2SB747-P
Type de transistor: PNP
Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
Tension collecteur-base maximum: -80 V
Tension émetteur-base maximum: -5 V
Courant collecteur continu maximum: -5 A
Dissipation de puissance maximum: 40 W
Gain de courant (hfe): 100 à 200
Fréquence de transition minimum: 7 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-220
Brochage du 2SB747-P
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SB747-P peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du 2SB747 est compris entre 40 à 200, celui du 2SB747-Q entre 60 à 120, celui du 2SB747-R entre 40 à 80.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB747-P peut n'être marqué que B747-P.
Complémentaire du transistor 2SB747-P
Le transistor NPN complémentaire du 2SB747-P est le 2SD812-P.
Version SMD du transistor 2SB747-P
Le BDP952 (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SB747-P.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SB747-P