Transistor bipolaire BDT92

Caractéristiques électriques du transistor BDT92

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
  • Tension collecteur-base maximum: -60 V
  • Tension émetteur-base maximum: -7 V
  • Courant collecteur continu maximum: -10 A
  • Dissipation de puissance maximum: 90 W
  • Gain de courant (hfe): 20 à 200
  • Fréquence de transition minimum: 4 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220

Brochage du BDT92

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor BDT92

Le transistor NPN complémentaire du BDT92 est le BDT91.

Substituts et équivalents pour le transistor BDT92

Vous pouvez remplacer le transistor BDT92 par BDT92F, BDT94, BDT94F, BDT96 ou BDT96F.
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