Transistor bipolaire 2SB762

Caractéristiques électriques du transistor 2SB762

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
  • Tension collecteur-base maximum: -60 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -4 A
  • Dissipation de puissance maximum: 40 W
  • Gain de courant (hfe): 40 à 250
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220

Brochage du 2SB762

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB762 peut avoir un gain en courant continu de 40 à 250. Le gain en courant continu du 2SB762-P est compris entre 120 à 250, celui du 2SB762-Q entre 70 à 150, celui du 2SB762-R entre 40 à 90.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB762 peut n'être marqué que B762.

Complémentaire du transistor 2SB762

Le transistor NPN complémentaire du 2SB762 est le 2SD857.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB762

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB762 par 2SA1262, 2SA1488, 2SA1488A, 2SA770, 2SA771, 2SB633, 2SB762A, 2SB942, 2SB942A, BD204, BD244A, BD244B, BD244C, BD304, BD536, BD538, BD540A, BD540B, BD540C, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BD950, BD952, BD954, BD956, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDX78, D44C10, D44C11, D44C12, D44C7, D44C8, D44C9, D45C10, D45C11, D45C12, D45C7, D45C8, D45C9, MJE15029 ou MJE15029G.
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