Transistor bipolaire 2SB858

Caractéristiques électriques du transistor 2SB858

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
  • Tension collecteur-base maximum: -70 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -4 A
  • Dissipation de puissance maximum: 40 W
  • Gain de courant (hfe): 60 à 320
  • Fréquence de transition minimum: 15 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -45 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220

Brochage du 2SB858

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB858 peut avoir un gain en courant continu de 60 à 320. Le gain en courant continu du 2SB858-B est compris entre 60 à 120, celui du 2SB858-C entre 100 à 200, celui du 2SB858-D entre 160 à 320.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB858 peut n'être marqué que B858.

Complémentaire du transistor 2SB858

Le transistor NPN complémentaire du 2SB858 est le 2SD1134.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB858

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB858 par 2SA1262, 2SA1488, 2SA1488A, 2SA1634, 2SA1635, 2SA770, 2SA771, 2SB633, BD204, BD244A, BD244B, BD244C, BD304, BD536, BD538, BD540A, BD540B, BD540C, BD544A, BD544B, BD544C, BD546A, BD546B, BD546C, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BD950, BD952, BD954, BD956, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDX78, D44C10, D44C11, D44C12, D44C7, D44C8, D44C9, D45C10, D45C11, D45C12, D45C7, D45C8, D45C9, D45H11, D45H11FP, D45H8, MJE15029 ou MJE15029G.
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