Transistor bipolaire 2SB1016A

Caractéristiques électriques du transistor 2SB1016A

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
  • Tension collecteur-base maximum: -100 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 30 W
  • Gain de courant (hfe): 70 à 240
  • Fréquence de transition minimum: 5 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220F

Brochage du 2SB1016A

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB1016A peut avoir un gain en courant continu de 70 à 240. Le gain en courant continu du 2SB1016A-O est compris entre 70 à 140, celui du 2SB1016A-Y entre 120 à 240.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1016A peut n'être marqué que B1016A.

Complémentaire du transistor 2SB1016A

Le transistor NPN complémentaire du 2SB1016A est le 2SD1407A.

Version SMD du transistor 2SB1016A

Le BDP954 (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SB1016A.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB1016A

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1016A par 2SB1016, 2SB1367, 2SB595, 2SB995, BD244C, BD540C, BD544C, BD546C, BD802, BD954, BD956, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, KTA1038, KTA1049, KTB1367, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 ou MJF15031G.
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