Caractéristiques électriques du transistor 2SB703A-Q
Type de transistor: PNP
Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
Tension collecteur-base maximum: -100 V
Tension émetteur-base maximum: -5 V
Courant collecteur continu maximum: -4 A
Dissipation de puissance maximum: 40 W
Gain de courant (hfe): 100 à 200
Fréquence de transition minimum: 10 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-220
Brochage du 2SB703A-Q
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SB703A-Q peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du 2SB703A est compris entre 40 à 200, celui du 2SB703A-R entre 60 à 120, celui du 2SB703A-S entre 40 à 80.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB703A-Q peut n'être marqué que B703A-Q.
Complémentaire du transistor 2SB703A-Q
Le transistor NPN complémentaire du 2SB703A-Q est le 2SD743A-Q.
Version SMD du transistor 2SB703A-Q
Le BDP954 (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SB703A-Q.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SB703A-Q