Transistor bipolaire BDP950

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
• Tension collecteur-base maximum: -60 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -3 A
• Dissipation de puissance maximum: 3 W
• Gain de courant (h_fe): 85 à 475
• Fréquence de transition minimum: 100 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: SOT-223

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor BDP950 est marqué "BDP950".Le transistor NPN complémentaire du BDP950 est le BDP949.Vous pouvez remplacer le transistor BDP950 par BDP952, BDP954, BDP956 ou NZT45H8.