Bipolartransistor 2SB1142

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1142

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2.5 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 400
  • Übergangsfrequenz, min: 140 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2SB1142

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB1142 kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1142-R liegt im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB1142-S im Bereich von 140 bis 280, die des 2SB1142-T im Bereich von 200 bis 400.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1142-Transistor könnte nur mit "B1142" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1142 ist der 2SD1682.

SMD-Version des Transistors 2SB1142

Der 2SB1123 (SOT-89) ist die SMD-Version des 2SB1142-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB1142

Sie können den Transistor 2SB1142 durch einen 2SB1143, 2SB1165, 2SB1166, 2SB1167, 2SB1168, 2SB986, BD190, MJE235, MJE252 oder MJE254 ersetzen.
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