Elektrische Eigenschaften des Transistors BD176-16
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -45 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
Verlustleistung, max: 30 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 250
Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
Gehäuse: TO-126
Pinbelegung des BD176-16
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor BD176-16 kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 250 haben. Die Gleichstromverstärkung des BD176 liegt im Bereich von 40 bis 250, die des BD176-10 im Bereich von 63 bis 160, die des BD176-6 im Bereich von 40 bis 60.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum BD176-16 ist der BD175-16.
SMD-Version des Transistors BD176-16
Der 2DA1213 (SOT-89), 2SA1213 (SOT-89) und BDP948 (SOT-223) ist die SMD-Version des BD176-16-Transistors.