Bipolartransistor BD176-16

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD176-16

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -45 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
  • Verlustleistung, max: 30 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 250
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des BD176-16

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BD176-16 kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 250 haben. Die Gleichstromverstärkung des BD176 liegt im Bereich von 40 bis 250, die des BD176-10 im Bereich von 63 bis 160, die des BD176-6 im Bereich von 40 bis 60.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BD176-16 ist der BD175-16.

SMD-Version des Transistors BD176-16

Der 2DA1213 (SOT-89), 2SA1213 (SOT-89) und BDP948 (SOT-223) ist die SMD-Version des BD176-16-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD176-16

Sie können den Transistor BD176-16 durch einen 2SB1143, 2SB1165, 2SB1166, 2SB744, 2SB744A, 2SB986, BD132, BD178, BD180, BD180G, BD188, BD190, BD786, BD788, BD788G, BD790, KSB744, KSB744A, KSE171, KSE172, MJE171, MJE171G, MJE172, MJE172G, MJE235 oder MJE252 ersetzen.
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