Bipolartransistor 2SB951-P

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB951-P

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -8 A
  • Verlustleistung, max: 45 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 4000 bis 10000
  • Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F

Pinbelegung des 2SB951-P

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB951-P kann eine Gleichstromverstärkung von 4000 bis 10000 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB951 liegt im Bereich von 2000 bis 10000, die des 2SB951-Q im Bereich von 2000 bis 5000.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB951-P-Transistor könnte nur mit "B951-P" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB951-P ist der 2SD1277-P.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB951-P

Sie können den Transistor 2SB951-P durch einen 2N6040, 2N6040G, 2N6041, 2N6041G, 2N6042, 2N6042G, 2N6667, 2N6667G, 2N6668, 2N6668G, 2SB1225, 2SB1228, 2SB882, 2SB886, 2SB951A, 2SB951A-P, BD204, BD304, BD536, BD538, BD544A, BD544B, BD544C, BD546A, BD546B, BD546C, BD646, BD648, BD650, BD652, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BD898, BD898A, BD900, BD900A, BD902, BDT62, BDT62A, BDT62B, BDT62C, BDT64, BDT64A, BDT64B, BDT64C, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDW45, BDW46, BDW46G, BDW47, BDW47G, BDW48, BDW74A, BDW74B, BDW74C, BDW74D, BDX34A, BDX34B, BDX34BG, BDX34C, BDX34CG, BDX34D, BDX54A, BDX54B, BDX54BG, BDX54C, BDX54CG, BDX54D, BDX78, D45H11, D45H11FP, D45H8, MJE15029, MJE15029G, MJF6668, MJF6668G, TIP105, TIP105G, TIP106, TIP106G, TIP107, TIP107G, TIP135, TIP135G, TIP136, TIP136G, TIP137, TIP137G, TIP145T, TIP146T oder TIP147T ersetzen.
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