Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1133-B
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 50 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 70 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 4 A
Verlustleistung, max: 40 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 120
Übergangsfrequenz, min: 7 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -45 to +150 °C
Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des 2SD1133-B
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SD1133-B kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 120 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1133 liegt im Bereich von 60 bis 320, die des 2SD1133-C im Bereich von 100 bis 200, die des 2SD1133-D im Bereich von 160 bis 320.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1133-B-Transistor könnte nur mit "D1133-B" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1133-B ist der 2SB857-B.