Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1133-D
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 50 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 70 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 4 A
Verlustleistung, max: 40 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 160 bis 320
Übergangsfrequenz, min: 7 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -45 to +150 °C
Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des 2SD1133-D
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SD1133-D kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1133 liegt im Bereich von 60 bis 320, die des 2SD1133-B im Bereich von 60 bis 120, die des 2SD1133-C im Bereich von 100 bis 200.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1133-D-Transistor könnte nur mit "D1133-D" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1133-D ist der 2SB857-D.
SMD-Version des Transistors 2SD1133-D
Der 2STF1360 (SOT-89), 2STN1360 (SOT-223) und NZT560 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SD1133-D-Transistors.
