Bipolartransistor 2SB825-Q

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -7 A
• Verlustleistung, max: 40 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 70 bis 140
• Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB825-Q kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 140 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB825 liegt im Bereich von 70 bis 280, die des 2SB825-R im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB825-S im Bereich von 140 bis 280.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB825-Q-Transistor könnte nur mit "B825-Q" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB825-Q ist der 2SD1061-Q.Sie können den Transistor 2SB825-Q durch einen 2N6107, 2N6107G, 2N6108, 2N6109, 2N6109G, 2N6110, 2N6490, 2N6490G, 2N6491, 2N6491G, 2SA1010, 2SA1290, 2SA1290-Q, 2SA1291, 2SA1291-Q, 2SA1328, 2SA1328-O, 2SA1329, 2SA1329-O, 2SA1451, 2SA1451-O, 2SA1451A, 2SA1451A-O, 2SA1452, 2SA1452-O, 2SA1452A, 2SA1452A-O, 2SA1470, 2SA1470-Q, 2SA1471, 2SA1471-Q, 2SB1018, 2SB1018-O, 2SB1018A, 2SB1018A-O, 2SB1019, 2SB1019-O, 2SB1097, 2SB1135, 2SB1135-Q, 2SB1136, 2SB1136-Q, 2SB553, 2SB553-O, 2SB707, 2SB708, 2SB826, 2SB826-Q, 2SB870, 2SB946, 2SB992, 2SB992-O, 2SB993, 2SB993-O, BD204, BD304, BD536, BD538, BD544A, BD544B, BD544C, BD546A, BD546B, BD546C, BD708, BD710, BD712, BD744A, BD744B, BD744C, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BD908, BD910, BD912, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT92, BDT92F, BDT94, BDT94F, BDT96, BDT96F, BDX78, D45H11, D45H11FP, D45H8, KSA1010, KSB1097, KSB707, KSB708 oder NTE197 ersetzen.