Bipolartransistor 2SB1135

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -7 A
• Verlustleistung, max: 30 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 70 bis 280
• Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220F

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB1135 kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 280 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1135-Q liegt im Bereich von 70 bis 140, die des 2SB1135-R im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB1135-S im Bereich von 140 bis 280.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1135-Transistor könnte nur mit "B1135" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1135 ist der 2SD1668.Sie können den Transistor 2SB1135 durch einen 2SA1290, 2SA1291, 2SA1470, 2SA1471, 2SB1136, 2SB825, 2SB826, BD204, BD304, BD536, BD538, BD544A, BD544B, BD544C, BD546A, BD546B, BD546C, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDX78, D45H11, D45H11FP oder D45H8 ersetzen.