Bipolartransistor 2SB553

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB553

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -70 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -7 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 240
  • Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des 2SB553

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB553 kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 240 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB553-O liegt im Bereich von 70 bis 140, die des 2SB553-Y im Bereich von 120 bis 240.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB553-Transistor könnte nur mit "B553" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB553 ist der 2SD553.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB553

Sie können den Transistor 2SB553 durch einen 2SA1290, 2SA1291, 2SA1328, 2SA1329, 2SA1451, 2SA1451A, 2SA1452, 2SA1452A, 2SA1470, 2SA1471, 2SB1018, 2SB1018A, 2SB1019, 2SB1135, 2SB1136, 2SB825, 2SB826, 2SB870, 2SB946, 2SB992, 2SB993, BD204, BD304, BD536, BD538, BD544A, BD544B, BD544C, BD546A, BD546B, BD546C, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDX78, D45H11, D45H11FP oder D45H8 ersetzen.
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