Bipolartransistor 2SB1019

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1019

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -70 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -7 A
  • Verlustleistung, max: 30 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 240
  • Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F

Pinbelegung des 2SB1019

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB1019 kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 240 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1019-O liegt im Bereich von 70 bis 140, die des 2SB1019-Y im Bereich von 120 bis 240.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1019-Transistor könnte nur mit "B1019" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1019 ist der 2SD1412.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB1019

Sie können den Transistor 2SB1019 durch einen 2SA1290, 2SA1291, 2SA1328, 2SA1329, 2SA1451, 2SA1451A, 2SA1452, 2SA1452A, 2SA1470, 2SA1471, 2SB1018, 2SB1018A, 2SB1135, 2SB1136, 2SB553, 2SB825, 2SB826, 2SB870, 2SB946, 2SB992, 2SB993, BD204, BD304, BD536, BD538, BD544A, BD544B, BD544C, BD546A, BD546B, BD546C, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDX78, D45H11, D45H11FP oder D45H8 ersetzen.
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