Bipolartransistor 2SB826

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -12 A
• Verlustleistung, max: 40 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 70 bis 280
• Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB826 kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 280 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB826-Q liegt im Bereich von 70 bis 140, die des 2SB826-R im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB826-S im Bereich von 140 bis 280.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB826-Transistor könnte nur mit "B826" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB826 ist der 2SD1062.Sie können den Transistor 2SB826 durch einen 2SB1136, BD546A, BD546B, BD546C, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86 oder BDT86F ersetzen.